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三星发布60纳米NAND闪存 速度提高一倍家电芯片
豪阳机械网 2022-11-09 12:06:37
三星发布60纳米NAND闪存 速度提高一倍
6月28日消息 三星周二发布了它的首款60纳米nand产品2gb onenand芯片,该芯片持续读取数据速度为每秒108mb,持续写入能力为每秒17mb;如果把8片这种闪存芯片整合在一起,其写入速度可达每秒36mb。
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据dailytech网站报道,英特尔4月份宣布了其首款70二手设备纳米onenand产品,但节点缩小到60纳米还使新onenand数据写入速度一下子由每秒9.3mb跃升至每秒17mb。这主要是因为70纳米皮套onenand产品每芯片最大容量只有1gb,而60纳米产品每芯片最大容量可达2gb。
三星半导体闪存产品营销部主管don barnetson说:“由于性能和容量表现突出,我们的onenand存储产品市场正在迅速扩大。随着60纳米技术的应用,这些优势就更引人瞩目了。”
6月28日消息 三星周二发布了它的首款60纳米nand产品2gb onenand芯片,该芯片持续读取数据速卡通气模度为每秒108mb,持续写入能力为每秒17mb;如果把8片这种闪存芯片整合在一起,其写入速度可达每秒36mb。据dailytech网站报道,英特尔4月份宣布了其首款70纳米onenand产品,但节点缩小到60纳米还使新onenand数据双龙配件写入速度一下子由每秒9.3mb跃升至每秒17mb。这主要是因为70纳米onenand产品每芯片最大容量只有1gb,而60纳米产品每芯片最大容量可达2gb。
三星半导体闪存产品营销部主管don barnetson说:“由于性能和容量表现突出,我们的onenand存储产品市场正在迅速扩大。随着60纳米技术的应用,这些优势就更引人瞩目了。”
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